Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату

• Дата: 2014
• Автори: Пилипів, В.М., Коцюбинський, В.О., Гарпуль, О.З., Гасюк, І.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Теми: Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією.
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/102619
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату / В.М. Пилипів, В.О. Коцюбинський, О.З. Гарпуль, І.М. Гасюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 39-44. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном...