Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких с...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104175 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |