Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких с...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Металлофизика и новейшие технологии
Date:	2013
Main Author:	Шаповалов, А.П.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Subjects:	Электронные структура и свойства
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104175
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104175
record_format	dspace
spelling	Шаповалов, А.П. 2016-07-03T18:04:42Z 2016-07-03T18:04:42Z 2013 Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1024-1809 PACS numbers: 73.20.Fz, 73.20.Hb, 73.20.Jc, 73.22.-f, 74.45.+c, 74.50.+r https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104175 В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах. В роботі наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe виду надпровідник—леґований напівпровідник—надпровідник при різних рівнях леґування вольфрамом напівпровідникового шару. Показано можливість реалізації різних типів ВАХ таких структур залежно від концентрації домішок у напівпровіднику: лінійна ВАХ в умовах відсутності леґування, ВАХ з нестачею струму у випадку низьких концентрацій (до 3—4 ат.%) домішок, ВАХ з надлишком струму в разі збільшення концентрації домішок. Обговорюються фізичні механізми, що визначають транспорт заряду в таких структурах. Current—voltage characteristics (CVC) of MoRe—Si(W)—MoRe heterostructures of superconductor—semiconductor—superconductor type are measured for various levels of alloying of the semiconductor layers (Si layers alloyed with tungsten). A possibility of realization of various types of the CVC of heterostructures is shown. Depending on impurity concentration in the semiconductor layer, the next CVC types are observed: i) linear current—voltage characteristic in the absence of alloying, ii) the current deficient CVC in the case of low impurities’ concentrations (less than 3—4 at.%), iii) the current excess CVC in the case of increase of the impurities’ concentration. Physical mechanisms of the charge transport in such structures are discussed. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
spellingShingle	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя Шаповалов, А.П. Электронные структура и свойства
title_short	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_fullStr	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_full_unstemmed	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
title_sort	транспорт заряда в more—si(w)—more-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
author	Шаповалов, А.П.
author_facet	Шаповалов, А.П.
topic	Электронные структура и свойства
topic_facet	Электронные структура и свойства
publishDate	2013
language	Russian
container_title	Металлофизика и новейшие технологии
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format	Article
title_alt	Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying
description	В работе приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe вида сверхпроводник—легированный полупроводник—сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3—4 ат.%) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждаются физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах. В роботі наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe—Si(W)—MoRe виду надпровідник—леґований напівпровідник—надпровідник при різних рівнях леґування вольфрамом напівпровідникового шару. Показано можливість реалізації різних типів ВАХ таких структур залежно від концентрації домішок у напівпровіднику: лінійна ВАХ в умовах відсутності леґування, ВАХ з нестачею струму у випадку низьких концентрацій (до 3—4 ат.%) домішок, ВАХ з надлишком струму в разі збільшення концентрації домішок. Обговорюються фізичні механізми, що визначають транспорт заряду в таких структурах. Current—voltage characteristics (CVC) of MoRe—Si(W)—MoRe heterostructures of superconductor—semiconductor—superconductor type are measured for various levels of alloying of the semiconductor layers (Si layers alloyed with tungsten). A possibility of realization of various types of the CVC of heterostructures is shown. Depending on impurity concentration in the semiconductor layer, the next CVC types are observed: i) linear current—voltage characteristic in the absence of alloying, ii) the current deficient CVC in the case of low impurities’ concentrations (less than 3—4 at.%), iii) the current excess CVC in the case of increase of the impurities’ concentration. Physical mechanisms of the charge transport in such structures are discussed.
issn	1024-1809
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104175
citation_txt	Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / А.П. Шаповалов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 8. — С. 1021-1030. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT šapovalovap transportzarâdavmoresiwmoregeterostrukturahprirazličnyhurovnâhlegirovaniâpoluprovodnikovogosloâ AT šapovalovap chargetransportinmoresiwmoreheterostructuresundervariouslevelsofsemiconductorlayeralloying
first_indexed	2025-12-07T18:00:12Z
last_indexed	2025-12-07T18:00:12Z
_version_	1850873387833884672

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

Institution

Similar Items