Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое ср...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Радіофізика та електроніка |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |