Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Гончарук, Н.М., Карушкин, Н.Ф., Малышко, В.В., Ореховский, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2013
• Schlagworte: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода. У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода. In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode.