Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое ср...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862546006655107072 |
|---|---|
| author | Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. |
| author_facet | Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. |
| citation_txt | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода.
У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода.
In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode.
|
| first_indexed | 2025-11-25T06:26:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105997 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T06:26:46Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. 2016-09-14T16:58:00Z 2016-09-14T16:58:00Z 2013 Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997 621.382.2.029.64 В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода. У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода. In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode. Представленная работа была поддержана Министерством образования и науки Украины в рамках проекта M/197-2007. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией Нітридгалієвий діод з тунельною інжекцією Gallium nitride diode with tunnel injection Article published earlier |
| spellingShingle | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией Гончарук, Н.М. Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_alt | Нітридгалієвий діод з тунельною інжекцією Gallium nitride diode with tunnel injection |
| title_full | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_fullStr | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_full_unstemmed | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_short | Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| title_sort | нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997 |
| work_keys_str_mv | AT gončaruknm nitridgallievyidiodstunnelʹnoiinžekciei AT karuškinnf nitridgallievyidiodstunnelʹnoiinžekciei AT malyškovv nitridgallievyidiodstunnelʹnoiinžekciei AT orehovskiiva nitridgallievyidiodstunnelʹnoiinžekciei AT gončaruknm nítridgalíêviidíodztunelʹnoûínžekcíêû AT karuškinnf nítridgalíêviidíodztunelʹnoûínžekcíêû AT malyškovv nítridgalíêviidíodztunelʹnoûínžekcíêû AT orehovskiiva nítridgalíêviidíodztunelʹnoûínžekcíêû AT gončaruknm galliumnitridediodewithtunnelinjection AT karuškinnf galliumnitridediodewithtunnelinjection AT malyškovv galliumnitridediodewithtunnelinjection AT orehovskiiva galliumnitridediodewithtunnelinjection |