Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Гончарук, Н.М., Карушкин, Н.Ф., Малышко, В.В., Ореховский, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2013
• Schlagworte: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105997
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое ср...