Термостабильность наноразмерных плёнок Co—Sb
Исследовано формирование фазового состава и структуры в наноразмерных плёнках CoSbx (30 нм) (1,82 ≤ х ≤ 4,16), осаждённых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложки окислённого монокристаллического кремния при комнатной температуре и температуре 200°C с последующей термической обработкой в ва...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107072 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Термостабильность наноразмерных плёнок Co—Sb / Ю.Н. Макогон, Е.П. Павлова, С.И. Сидоренко, Д. Беке, А. Чик, Р.А. Шкарбань // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 12. — С. 1621-1634. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано формирование фазового состава и структуры в наноразмерных плёнках CoSbx (30 нм) (1,82 ≤ х ≤ 4,16), осаждённых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложки окислённого монокристаллического кремния при комнатной температуре и температуре 200°C с последующей термической обработкой в вакууме в интервале температур 300—700°C.
Досліджено формування фазового складу і структури в нанорозмірних плівках CoSbx (30 нм) (1,82 ≤ х ≤ 4,16), осаджених методою молекулярно-променево ї епітаксі ї на підложжя окисненого монокристалічного кремнію за кімнатно ї температури і температури 200°C з подальшим термічним обробленням у вакуумі в інтервалі температур 300—700°C.
Formation of phase composition and structure is investigated in nanoscale CoSbx (30 nm) (1.82 ≤ х ≤ 4.16) films deposited by the method of molecular-beam epitaxy on the substrates of the oxidized monocrystalline silicon at room temperature and 200°C with subsequent thermal treatment in a vacuum within the temperature range of 300—700°C.
|
|---|---|
| ISSN: | 1024-1809 |