Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
Разработана технология получения гетероструктурных солнечных элементов графен /CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо сформированных на стеклянных подложках и полиамидных плёнках. Исследуется, световые вольтамперные характеристики и определяются выходные параметры солнечных элементов. Розроблено технологію одержа...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108643 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe / Ш.Б. Каримов, Б.Х. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 57-60. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |