Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивност...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108711 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 141-147. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |