Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивност...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108711 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 141-147. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108711 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Касымов, Ш.С. 2016-11-14T17:38:17Z 2016-11-14T17:38:17Z 2015 Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 141-147. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108711 621.393.3:621.382:621.385 Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра излучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференционных и полупроводниковых светофильтров. Наведено експериментальні результати досліджень вольт-амперних, люкс-амперних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу з надтонким газорозрядним осередком. В якості джерела світла застосовувався освітлювач типу ОИ-24. Змінювання інтенсивності випромінювання, що потрапляє на вхід системи, здійснювалося набором сіткових каліброваних фільтрів. Робочий діапазон спектра випромінювань і усунення фонової засвітки забезпечувалися за допомогою набору інтерференційних і напівпровідникових світлофільтрів. In work are brought results of the experimental studies of the current-voltage, photovoltaic and semiconductor ampere characteristics of photographic systems ionization type. The light source used illuminator OI-24 type. Changing the intensity of the radiation incident on the input of the system, carried out a set of grid calibrated filters. The working range of the spectrum of radiation and eliminating backlight were provided with a set of interference filters and semiconductor. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа Дослідження фотоелектричних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу The study of photoelectric and photographic characteristics of semiconductor photographic system ionisation type Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| spellingShingle |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Касымов, Ш.С. |
| title_short |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| title_full |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| title_fullStr |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| title_full_unstemmed |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| title_sort |
исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа |
| author |
Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Касымов, Ш.С. |
| author_facet |
Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Касымов, Ш.С. |
| publishDate |
2015 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження фотоелектричних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу The study of photoelectric and photographic characteristics of semiconductor photographic system ionisation type |
| description |
Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра излучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференционных и полупроводниковых светофильтров.
Наведено експериментальні результати досліджень вольт-амперних, люкс-амперних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу з надтонким газорозрядним осередком. В якості джерела світла застосовувався освітлювач типу ОИ-24. Змінювання інтенсивності випромінювання, що потрапляє на вхід системи, здійснювалося набором сіткових каліброваних фільтрів. Робочий діапазон спектра випромінювань і усунення фонової засвітки забезпечувалися за допомогою набору інтерференційних і напівпровідникових світлофільтрів.
In work are brought results of the experimental studies of the current-voltage, photovoltaic and semiconductor ampere characteristics of photographic systems ionization type. The light source used illuminator OI-24 type. Changing the intensity of the radiation incident on the input of the system, carried out a set of grid calibrated filters. The working range of the spectrum of radiation and eliminating backlight were provided with a set of interference filters and semiconductor.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108711 |
| citation_txt |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 141-147. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ûldaševht issledovaniefotoélektričeskihifotografičeskihharakteristikpoluprovodnikovoifotografičeskoisistemyionizacionnogotipa AT haidarovbz issledovaniefotoélektričeskihifotografičeskihharakteristikpoluprovodnikovoifotografičeskoisistemyionizacionnogotipa AT kasymovšs issledovaniefotoélektričeskihifotografičeskihharakteristikpoluprovodnikovoifotografičeskoisistemyionizacionnogotipa AT ûldaševht doslídžennâfotoelektričnihífotografíčnihharakteristiknapívprovídnikovoífotografíčnoísistemiíonízacíinogotipu AT haidarovbz doslídžennâfotoelektričnihífotografíčnihharakteristiknapívprovídnikovoífotografíčnoísistemiíonízacíinogotipu AT kasymovšs doslídžennâfotoelektričnihífotografíčnihharakteristiknapívprovídnikovoífotografíčnoísistemiíonízacíinogotipu AT ûldaševht thestudyofphotoelectricandphotographiccharacteristicsofsemiconductorphotographicsystemionisationtype AT haidarovbz thestudyofphotoelectricandphotographiccharacteristicsofsemiconductorphotographicsystemionisationtype AT kasymovšs thestudyofphotoelectricandphotographiccharacteristicsofsemiconductorphotographicsystemionisationtype |
| first_indexed |
2025-12-07T15:16:13Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:16:13Z |
| _version_ |
1850863070977458176 |