Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
Приведены результаты исследований вольт-амперной характеристики структуры Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm) в зависимости от температуры. Показано, что такая структура имеет протяженный сублинейный участок высокого значения на обратной вольт-амперной характеристике, который практически н...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Ачилов, А.С., Мирсагатов, Ш.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108757 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры / А.С. Ачилов, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 298-312. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)