Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Сулаймонов, Х.М., Юлдашев, Н.Х.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108759
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, учас...