Титульные страницы и содержание
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108918 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 1-4. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108918 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1089182025-02-09T22:22:39Z Титульные страницы и содержание 2014 Article Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 1-4. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108918 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108918 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 1-4. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| first_indexed |
2025-12-01T09:21:10Z |
| last_indexed |
2025-12-01T09:21:10Z |
| _version_ |
1850297159718535168 |
| fulltext |
НАЦИОНАЛЬНАЯ
АКАДЕМИЯ НАУК
УКРАИНЫ
ИНСТИТУТ
ФИЗИКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
им. В.Е. ЛАШКАРЕВА
СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ
ОСНОВАН В 1982 г.
ВЫПУСК 49
2014
2
УДК 621.382
Представлены работы по исследованиям элементов полупроводниковой техники и элементов радио-
электронных устройств на полупроводниках и диэлектриках, по оптоэлектронике и микроэлектронике,
нанотехнологиям и наноэлектронике. Анализируются характеристики полупроводниковых приборов и
материалов, а также влияние на них различных воздействий.
Для научных работников, аспирантов и инженеров, работающих в области полупроводниковой тех-
ники и оптоэлектроники, а также студентов старших курсов физических и радиофизических факульте-
тов.
Подано праці з досліджень елементів напівпровідникової техніки та елементів радіоелектронних
пристроїв на напівпровідниках і діелектриках, з оптоелектроніки і мікроелектроніки, нанотехнологій та
наноелектроніки. Аналізуються характеристики напівпровідникових приладів і матеріалів, а також вплив
на них різноманітних чинників.
Для наукових співробітників, аспірантів та інженерів, які працюють у галузі напівпровідникової тех-
ніки та оптоелектроніки, а також студентів старших курсів фізичних та радіофізичних факультетів.
Papers on the elements of semiconductor technique and technology, optoelectronics and microelectronics,
nanotechnologies and nanoelectronics, elements of radioelectronic devices on the base of semiconductors and
dielectrics, characteristics of semiconductor devices and materials and also influence of different factors on them
are presented.
For scientists, post-graduate students, and engineers working in the field of semiconductor technology and
technique and optoelectronics and also for the third-fifth year students of physical and radiophysical faculties.
Редакционная коллегия:
С.В. СВЕЧНИКОВ (главный редактор),
К.Д. ГЛИНЧУК (заместитель главного редактора),
З.К. ВЛАСЕНКО (ответственный секретарь),
Н.А. ВЛАСЕНКО, С.А. ВОРОНОВ, С.В. ДЕНБНОВЕЦКИЙ,
Р.В. КОНАКОВА, В.В. КОВАЛЬ, В.Г. ЛИТОВЧЕНКО, В.К. МАЛЮТЕНКО,
П.Ф. ОЛЕКСЕНКО, В.И. ОСИНСКИЙ, А.В. СТРОНСКИЙ
Адрес редколлегии:
03028, Киев 28, проспект Науки, 41
Институт физики полупроводников
им. В.Е. Лашкарева НАН Украины
Телефоны: 525 6373, 525 6205
Утверждено к печати ученым советом
Института физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины
Свидетельство о государственной регистрации Сер. КВ № 12257-141 Р, 30.01.07
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, 2014
3
СОДЕРЖАНИЕ
О.І. Власенко, М.П. Киселюк, В.П. Велещук, З.К. Власенко, І.О. Ляшенко, О.В. Ляшенко.
Акустична емісія напівпровідників та діодних структур (огляд) .……………………….....................
5
Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик. Методы определе-
ния высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) ………………......................
21
Е.А. Акимова, А.В. Стронский, А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, Ю.Ю. Бояринов, А.М. Приса-
карь, С.В. Робу, П.Ф. Олексенко, О.С. Литвин. Запись голограммных дифракционных решеток на
карбазолсодержащих тонких полимерных пленках …………………...……………………………….
31
І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий. Фото-
стимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу ................
36
П.І. Баранський, Г.П. Гайдар. Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр
анізотропії рухливості монокристалів кремнію ………………………………………………………...
42
Д.Н. Хмиль, А.М. Камуз, П.Ф. Олексенко, В.Г. Камуз, Н.Г. Алексенко, О.А. Камуз, С.У. Ха-
бусєва, Л.Д. Паценкер. Использование гибридных органно-неорганических фотолюминофо-
ров для повышения индекса цветопередачи белых светодиодов ……...…………………………
48
А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин. Химическое
травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота …………...…...
53
Е.В. Костюкевич, С.А. Костюкевич. Оптимизация эксплуатационных характеристик преобра-
зователей на основе поверхностного плазмонного резонанса ………………………………………...
60
Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко. Фотоэлек-
трические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твер-
дых растворов CdxZn1–xS …………………………………………………………………………………
69
В.Ф. Онищенко. Вплив підкладки та поверхні макропори на фотопровідність у двомірних
структурах макропористого кремнію …………………………………………………………………...
75
И.Е. Матяш. Модуляционная поляриметрия поверхностного плазмонного резонанса как сред-
ство детектирования диэлектрических свойств газов ………………………………………………….
82
Н.И. Карась. Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эф-
фект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии …………….
88
М.А. Стеценко. Анализ результатов аппроксимации спектральных характеристик поверх-
ностного плазмонного резонанса аналитическими функциями
………………………………………….
93
О.Є.Бєляєв, В.О.Кочелап. Чарівні подорожі у блакитне світло …………………………………...
98
Інформація про проведення 6-ї Міжнародної науково-технічної конференції “СЕНСОРНА
ЕЛЕКТРОНІКА І МІКРОСИСТЕМНІ ТЕХНОЛОГІЇ” СЕМСТ-6 …………………………………….
105
4
CONTENTS
A.I. Vlasenko, M.P. Kisselyuk, V.P. Veleschuk, Z.K. Vlasenko, I.O. Lyashenko, O.V. Lyashenko.
Acoustic emission of semiconductors and diode structures (review) ……………………………………...
5
Ya.Ya. Kudryk, V.V. Shynkarenko, V.S. Slipokurov, R.I. Bigun, R.Ya. Kudryk. Methods for deter-
mination of schottky barrier height from IV curves (review)……………………………………………
21
E. A. Achimova, A. V. Stronski, A. P. Paiuk, A. Yu. Meshalkin, Yu. Yu. Boiarinov, A. M. Prisacar,
S. V. Robu, P. F. Oleksenko, O. S. Lytvyn. Recording of holografic diffraction gratings on carbazole-
containing polymer thin films ……………………………………………………………………………...
31
I.V. Babiychuk, V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyy, M.V. Lukaniuk V.I. Myn’ko, P.E. Shepeliavyi.
Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process …………………….
36
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar. Influence of thermoannealings at 450 and 650
o
C on the tensoresistance
and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals …………………………………………...
42
D.N. Khmil, А.М. Kamuz, P.F. Oleksenko, V.G. Kamuz, N.G. Aleksenko, O.A. Kamuz, S. U. Ha-
buseva, L.D. Patsenker. The use of hybrid organic-inorganic photoluminophors TO IMPROVE color
rendering index of white LEDs …………………………………………………………………………….
48
А.S. Stanetska, V.М. Tomashyk, І.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashyk, S.М. Galkin. Chemical etching
of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions ...............................................................
53
E.V. Kostyukevych, S.A. Kostyukevych. Optimization of operational characteristics inherent to
transducers based on surface plasmon resonance ………………………………………………………….
60
Yu.N. Bobrenko, S.Yu. Pavelets, T.V. Semikina, G.I. Sheremetova, N.V. Yaroshenko. Photoelectric
converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions ………………….
69
V.F. Onyshchenko. Influence of substrate and macropore surface on photoconductivity in two-
dimensional structures of macroporous silicon ……………………………………………………………………….
75
I.E. Matyash. Modulation polarimetry of surface plasmon resonance as the means determining the
dielectric properties of gases ……………………………………………………………………………….
82
N.I. Karas. Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-
face photoeffects in macroporous silicon ………………………………………………………………….
88
M.A. Stetsenko. Analysis of resulta of approximation of the spectral characteristics of surface plas-
mon resonance of analytic functions …………………………………………………………………..
93
O.Ye. Belyayev, V.O. Kochelap. Wonderful trips in blue light ……………………………………….
98
Information on organized 6-th International scientific-technical conference “Sensor Electronics and
Microsystem Technologies” SEMST-6 ……………………………………………………………………
105
|