Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота

• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Станецкая, А.С., Томашик, В.Н., Стратийчук, И.Б., Томашик, З.Ф., Галкин, С.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Schriftenreihe: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108925
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора –...