Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора –...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108925 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862561664685047808 |
|---|---|
| author | Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. |
| author_facet | Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. |
| citation_txt | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора – скорость травления” и установлены концентрационные границы полирующих растворов. Оптимизированы составы полирующих смесей для травления ZnSe методами химико-динамического и химико-механического полирования. Исследовано состояние поверхности кристаллов селенида цинка методами электронной микроскопии после механической и химической обработки.
The chemical interaction of undoped and doped ZnSe crystals surface with bromine emerging solutions of H₂O₂ – HBr – acetic acid has been investigated. The dependence of dissolution rate on the etchants compositions, its stirring, temperature, and doping of the crystals have been studied. The phase diagrams of “etchants compositions – etching rate” have been constructed. The concentration regions of polishing solutions and the surface state after chemical etching have been defined. The polishing etchants compositions for chemical treatment of the test materials have been optimized. The surface state of zinc selenide crystals after mechanical and chemical treatment has been investigated using electron microscopy.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:28:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108925 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:28:29Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. 2016-11-17T17:53:26Z 2016-11-17T17:53:26Z 2014 Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108925 (548.5 + 621.794.4):546.47’23 Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора – скорость травления” и установлены концентрационные границы полирующих растворов. Оптимизированы составы полирующих смесей для травления ZnSe методами химико-динамического и химико-механического полирования. Исследовано состояние поверхности кристаллов селенида цинка методами электронной микроскопии после механической и химической обработки. The chemical interaction of undoped and doped ZnSe crystals surface with bromine emerging solutions of H₂O₂ – HBr – acetic acid has been investigated. The dependence of dissolution rate on the etchants compositions, its stirring, temperature, and doping of the crystals have been studied. The phase diagrams of “etchants compositions – etching rate” have been constructed. The concentration regions of polishing solutions and the surface state after chemical etching have been defined. The polishing etchants compositions for chemical treatment of the test materials have been optimized. The surface state of zinc selenide crystals after mechanical and chemical treatment has been investigated using electron microscopy. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H₂O₂–HBr– acetic acid solutions Article published earlier |
| spellingShingle | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота Станецкая, А.С. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. Галкин, С.Н. |
| title | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_alt | Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H₂O₂–HBr– acetic acid solutions |
| title_full | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_fullStr | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_full_unstemmed | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_short | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота |
| title_sort | химическое травление поверхности кристаллов znse растворами h₂o₂–hbr–уксусная кислота |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108925 |
| work_keys_str_mv | AT staneckaâas himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT tomašikvn himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT stratiičukib himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT tomašikzf himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT galkinsn himičeskoetravleniepoverhnostikristallovznserastvoramih2o2hbruksusnaâkislota AT staneckaâas chemicaletchingofznsecrystalsurfacedbytheh2o2hbraceticacidsolutions AT tomašikvn chemicaletchingofznsecrystalsurfacedbytheh2o2hbraceticacidsolutions AT stratiičukib chemicaletchingofznsecrystalsurfacedbytheh2o2hbraceticacidsolutions AT tomašikzf chemicaletchingofznsecrystalsurfacedbytheh2o2hbraceticacidsolutions AT galkinsn chemicaletchingofznsecrystalsurfacedbytheh2o2hbraceticacidsolutions |