Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора –...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108925 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота / А.С. Станецкая, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, С.Н. Галкин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |