Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире
Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются....
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут монокристалів НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |