Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире
Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут монокристалів НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743156320108544 |
|---|---|
| author | Катрич, Н.П. Будников, А.Т. Воробьев, А.Е. Кривоногов, С.И. Мирошников, Ю.П. |
| author_facet | Катрич, Н.П. Будников, А.Т. Воробьев, А.Е. Кривоногов, С.И. Мирошников, Ю.П. |
| citation_txt | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются. Химический анализ показал, что микрочастицы состоят преимущественно из атомов вольфрама. Зарождаются микрочастицы в микропорах расплава. В процессе кристаллизации они врастают в сапфир. Загрязнение расплава атомами вольфрама происходит в результате его конвекционного перемешивания.
Досліджено вплив криогенної очистки гелію у кристалізаційній камері на виникнення скупчень мікрочасток другої фази у сапфірі. Показано, що з покращенням очистки гелію скупчення мікрочасток зменшуються. При подачі струї очищеного гелію у порожнину теплового вузла скупчення мікрочасток практично не виникають. Хімічний аналіз показав, що мікрочастки складаються здебільшого з атомів вольфраму. зароджуються вони в мікропорах розплаву. При кристалізації мікрочастки вростають в сапфір. Розплав забруднюється атомами вольфраму внаслідок його конвекційного перемішування.
Influencing of the cryogenic cleaning of helium in a crystallization chamber on accumulation of microparticles of the second phase in a sapphire is explored. It is shown, that with the improvement of cleaning of helium the closeness of particles diminishes. At the serve of stream of the cleared helium in the cavity of thermal site of accumulation of microparticles do not appear practically. The chemical analysis showed that microparticles consisted mainly of atoms of tungsten. Microparticles in microvoids of fusion are engendered. In the process of crystallization they grow in a sapphire. Contamination of fusion by the atoms of tungsten takes place as a result of his convection interfusion.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:29:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110753 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:29:37Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут монокристалів НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Катрич, Н.П. Будников, А.Т. Воробьев, А.Е. Кривоногов, С.И. Мирошников, Ю.П. 2017-01-06T10:01:24Z 2017-01-06T10:01:24Z 2008 Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753 546.65.623 Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются. Химический анализ показал, что микрочастицы состоят преимущественно из атомов вольфрама. Зарождаются микрочастицы в микропорах расплава. В процессе кристаллизации они врастают в сапфир. Загрязнение расплава атомами вольфрама происходит в результате его конвекционного перемешивания. Досліджено вплив криогенної очистки гелію у кристалізаційній камері на виникнення скупчень мікрочасток другої фази у сапфірі. Показано, що з покращенням очистки гелію скупчення мікрочасток зменшуються. При подачі струї очищеного гелію у порожнину теплового вузла скупчення мікрочасток практично не виникають. Хімічний аналіз показав, що мікрочастки складаються здебільшого з атомів вольфраму. зароджуються вони в мікропорах розплаву. При кристалізації мікрочастки вростають в сапфір. Розплав забруднюється атомами вольфраму внаслідок його конвекційного перемішування. Influencing of the cryogenic cleaning of helium in a crystallization chamber on accumulation of microparticles of the second phase in a sapphire is explored. It is shown, that with the improvement of cleaning of helium the closeness of particles diminishes. At the serve of stream of the cleared helium in the cavity of thermal site of accumulation of microparticles do not appear practically. The chemical analysis showed that microparticles consisted mainly of atoms of tungsten. Microparticles in microvoids of fusion are engendered. In the process of crystallization they grow in a sapphire. Contamination of fusion by the atoms of tungsten takes place as a result of his convection interfusion. Авторы работы выражают искреннюю благодарность Л.В. Глушковой за проведенный химический анализ монокристаллов сапфира, выращенных в атмосфере гелия. ru Інститут монокристалів НАН України Вопросы атомной науки и техники Чистые материалы и вакуумные технологии Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире Вплив криогенної очистки гелію у кристалізаційній камері на виникнення часток другої фази у сапфірі Influencing of the cryogenic cleaning of helium in crystallization chamber on formation of particles of the second phase in a sapphire Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире Катрич, Н.П. Будников, А.Т. Воробьев, А.Е. Кривоногов, С.И. Мирошников, Ю.П. Чистые материалы и вакуумные технологии |
| title | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| title_alt | Вплив криогенної очистки гелію у кристалізаційній камері на виникнення часток другої фази у сапфірі Influencing of the cryogenic cleaning of helium in crystallization chamber on formation of particles of the second phase in a sapphire |
| title_full | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| title_fullStr | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| title_full_unstemmed | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| title_short | Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| title_sort | влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире |
| topic | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| topic_facet | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753 |
| work_keys_str_mv | AT katričnp vliâniekriogennoiočistkigeliâvkristallizacionnoikamerenaobrazovaniečasticvtoroifazyvsapfire AT budnikovat vliâniekriogennoiočistkigeliâvkristallizacionnoikamerenaobrazovaniečasticvtoroifazyvsapfire AT vorobʹevae vliâniekriogennoiočistkigeliâvkristallizacionnoikamerenaobrazovaniečasticvtoroifazyvsapfire AT krivonogovsi vliâniekriogennoiočistkigeliâvkristallizacionnoikamerenaobrazovaniečasticvtoroifazyvsapfire AT mirošnikovûp vliâniekriogennoiočistkigeliâvkristallizacionnoikamerenaobrazovaniečasticvtoroifazyvsapfire AT katričnp vplivkriogennoíočistkigelíûukristalízacíiníikamerínaviniknennâčastokdrugoífaziusapfírí AT budnikovat vplivkriogennoíočistkigelíûukristalízacíiníikamerínaviniknennâčastokdrugoífaziusapfírí AT vorobʹevae vplivkriogennoíočistkigelíûukristalízacíiníikamerínaviniknennâčastokdrugoífaziusapfírí AT krivonogovsi vplivkriogennoíočistkigelíûukristalízacíiníikamerínaviniknennâčastokdrugoífaziusapfírí AT mirošnikovûp vplivkriogennoíočistkigelíûukristalízacíiníikamerínaviniknennâčastokdrugoífaziusapfírí AT katričnp influencingofthecryogeniccleaningofheliumincrystallizationchamberonformationofparticlesofthesecondphaseinasapphire AT budnikovat influencingofthecryogeniccleaningofheliumincrystallizationchamberonformationofparticlesofthesecondphaseinasapphire AT vorobʹevae influencingofthecryogeniccleaningofheliumincrystallizationchamberonformationofparticlesofthesecondphaseinasapphire AT krivonogovsi influencingofthecryogeniccleaningofheliumincrystallizationchamberonformationofparticlesofthesecondphaseinasapphire AT mirošnikovûp influencingofthecryogeniccleaningofheliumincrystallizationchamberonformationofparticlesofthesecondphaseinasapphire |