Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Катрич, Н.П., Будников, А.Т., Воробьев, А.Е., Кривоногов, С.И., Мирошников, Ю.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут монокристалів НАН України 2008
• Schlagworte: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются....