Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2008
• Автори: Катрич, Н.П., Будников, А.Т., Воробьев, А.Е., Кривоногов, С.И., Мирошников, Ю.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут монокристалів НАН України 2008
• Теми: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110753
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, А.Е. Воробьев, С.И. Кривоногов, Ю.П. Мирошников // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 24-26. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются....