Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении
В модели приповерхностного нелокального термоупругого пика иона получено аналитическое выражение для напряжений сжатия σγ в ta-C-покрытии при осаждении потока низкоэнергетических ионов C+ с энергией 25…1000 эВ. При температуре осаждения T₀ = 300 K напряжения сжатия изменяются с энергией иона в соотв...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Series: | Вопросы атомной науки и техники |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110857 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепёлкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 147-151. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В модели приповерхностного нелокального термоупругого пика иона получено аналитическое выражение для напряжений сжатия σγ в ta-C-покрытии при осаждении потока низкоэнергетических ионов C+ с энергией 25…1000 эВ. При температуре осаждения T₀ = 300 K напряжения сжатия изменяются с энергией иона в соответствии с экспериментальными данными, если энергия активации кинетического процесса релаксации напряжений составляет величину U ~ 0,3 эВ, типичную для междоузельных дефектов. Значительное падение σγ с ростом температуры используется для объяснения факта радикального уменьшения доли sp³-связей в осаждаемом углеродном покрытии при увеличении температуры осаждения от 300 до 600 K. |
|---|