Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge
In this paper the influence of precursor (titanium tetraisopropoxide (TTIP)) temperature, precursor and gas flow rates on the surface properties of TiO₂ thin films deposited by atmospheric dielectric barrier discharge (ADBD) chemical vapour deposition (CVD) were investigated. Argon was used as worki...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110976 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge / Y. Klenko, J. Píchal // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 6. — С. 177-179. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |