Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge

In this paper the influence of precursor (titanium tetraisopropoxide (TTIP)) temperature, precursor and gas flow rates on the surface properties of TiO₂ thin films deposited by atmospheric dielectric barrier discharge (ADBD) chemical vapour deposition (CVD) were investigated. Argon was used as worki...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2008
Hauptverfasser: Klenko, Y., Píchal, J.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110976
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge / Y. Klenko, J. Píchal // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 6. — С. 177-179. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine