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Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge

In this paper the influence of precursor (titanium tetraisopropoxide (TTIP)) temperature, precursor and gas flow rates on the surface properties of TiO₂ thin films deposited by atmospheric dielectric barrier discharge (ADBD) chemical vapour deposition (CVD) were investigated. Argon was used as worki...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Klenko, Y., Píchal, J.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
Schlagworte:	Low temperature plasma and plasma technologies
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110976
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge / Y. Klenko, J. Píchal // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 6. — С. 177-179. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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