Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
• Schlagworte: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...