Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт-
 амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується
 з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обум...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут ядерних досліджень НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862734494369316864 |
|---|---|
| author | Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. |
| author_facet | Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. |
| citation_txt | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт-
амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується
з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється
тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані
структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ.
Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на
вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с
процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных
дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ.
The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting
diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current
carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation
induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:43:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111081 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:43:17Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут ядерних досліджень НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. 2017-01-08T09:37:31Z 2017-01-08T09:37:31Z 2008 Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081 621.315.592 Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт-
 амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується
 з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється
 тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані
 структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ. Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на
 вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с
 процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных
 дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ. The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting
 diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current
 carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation
 induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics. uk Інститут ядерних досліджень НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP Действие проникающего излучения на электрические характеристики светоизлучающих диодов GaP Effect of penetrative irradiation on GaP light-emitting diode electrical characteristics Article published earlier |
| spellingShingle | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP |
| title_alt | Действие проникающего излучения на электрические характеристики светоизлучающих диодов GaP Effect of penetrative irradiation on GaP light-emitting diode electrical characteristics |
| title_full | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP |
| title_fullStr | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP |
| title_full_unstemmed | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP |
| title_short | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP |
| title_sort | дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів gap |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081 |
| work_keys_str_mv | AT konorêvaov díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT litovčenkopg díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT opilatvâ díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT petrenkoív díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT pínkovsʹkamb díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT tartačnikvp díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT konorêvaov deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT litovčenkopg deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT opilatvâ deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT petrenkoív deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT pínkovsʹkamb deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT tartačnikvp deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap AT konorêvaov effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics AT litovčenkopg effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics AT opilatvâ effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics AT petrenkoív effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics AT pínkovsʹkamb effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics AT tartačnikvp effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics |