Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2008
Hauptverfasser: Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
Schlagworte:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111081
record_format dspace
spelling Конорєва, О.В.
Литовченко, П.Г.
Опилат, В.Я.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
2017-01-08T09:37:31Z
2017-01-08T09:37:31Z
2008
Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
621.315.592
Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ.
Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ.
The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics.
uk
Інститут ядерних досліджень НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
Действие проникающего излучения на электрические характеристики светоизлучающих диодов GaP
Effect of penetrative irradiation on GaP light-emitting diode electrical characteristics
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
spellingShingle Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
Конорєва, О.В.
Литовченко, П.Г.
Опилат, В.Я.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title_short Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_full Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_fullStr Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_full_unstemmed Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_sort дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів gap
author Конорєва, О.В.
Литовченко, П.Г.
Опилат, В.Я.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
author_facet Конорєва, О.В.
Литовченко, П.Г.
Опилат, В.Я.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
publishDate 2008
language Ukrainian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Інститут ядерних досліджень НАН України
format Article
title_alt Действие проникающего излучения на электрические характеристики светоизлучающих диодов GaP
Effect of penetrative irradiation on GaP light-emitting diode electrical characteristics
description Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ. Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ. The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
citation_txt Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT konorêvaov díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT litovčenkopg díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT opilatvâ díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT petrenkoív díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT pínkovsʹkamb díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT tartačnikvp díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
AT konorêvaov deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT litovčenkopg deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT opilatvâ deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT petrenkoív deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT pínkovsʹkamb deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT tartačnikvp deistviepronikaûŝegoizlučeniânaélektričeskieharakteristikisvetoizlučaûŝihdiodovgap
AT konorêvaov effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
AT litovčenkopg effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
AT opilatvâ effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
AT petrenkoív effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
AT pínkovsʹkamb effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
AT tartačnikvp effectofpenetrativeirradiationongaplightemittingdiodeelectricalcharacteristics
first_indexed 2025-12-07T19:43:17Z
last_indexed 2025-12-07T19:43:17Z
_version_ 1850879872611647488

Ähnliche Einträge