Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2008
• Автори: Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...