Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2008
• Main Authors: Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
• Subjects: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111081
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт-
 амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується
 з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обум...