Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications
The design of ribbon ion source and transport system is discussed in this paper. This system is created at ITEP for ion beam implantation in semiconductor technology. The Bernas type ion sources are used for ribbon ion beam production. The periodic system of electrostatic lenses is proposed for inte...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111482 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications / E.S. Masunov, S.M. Polozov, T.V. Kulevoy, R.P. Kuibeda, V.I. Pershin, S.V. Petrenko, D.N. Seleznev, I.M. Shamailov, A.L. Sitnikov // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 5. — С. 64-67. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | The design of ribbon ion source and transport system is discussed in this paper. This system is created at ITEP for ion beam implantation in semiconductor technology. The Bernas type ion sources are used for ribbon ion beam production. The periodic system of electrostatic lenses is proposed for intensive ion beam transport. The results of implanter component development are observing.
Розглядаються питання, пов'язані з розробкою стрічкового іонного пучка і системи транспортування. Система імплантації розробляється в ІТЕФ для імплантації іонного пучку у напівпровідники. Для одержання стрічкового іонного пучка використається джерело типу "Бернас". Для транспортування пучку запропоновано використати періодичну систему електростатичних лінз. Розглядаються результати розробки окремих частин імплантору.
Рассматриваются вопросы, связанные с разработкой ленточного ионного пучка и системы транспортировки. Система имплантации разрабатывается в ИТЭФ для имплантации ионного пучка в полупроводники. Для получения ленточного ионного пучка используется источник типа «Бернас». Для транспортировки пучка предложено использовать периодическую систему электростатических линз. Рассматриваются результаты разработки отдельных частей имплантора.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |