Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence o...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111722 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111722 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. 2017-01-13T19:14:55Z 2017-01-13T19:14:55Z 2016 Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. 1562-6016 PACS:81.10.Fq, 88.40.jj, 78.40.Fy, 81.40.-z, 85.40.Ry, 72.10.Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111722 In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence of heat treatment on phase-structural condition of single crystals and nonequilibrium carrier lifetime has been determined. Вивчено особливості вирощування досконалих легованих монокристалів кремнію. Виявлено особливості анодного травлення монокристалів n- і p-типів. Визначено вплив орієнтації запалу на еволюцію дислокаційної і дефектної структур у кристалі на різних стадіях росту. Встановлено вплив термообробки на структурно-фазовий стан монокристалів і час життя нерівноважних носіїв струму. Изучены особенности выращивания совершенных легированных монокристаллов кремния. Выявлены особенности анодного травления монокристаллов n- и p-типов. Определено влияние ориентации затравок на эволюцию дислокационной и дефектной структур в кристалле на различных стадиях роста. Установлено влияние термообработки на структурно-фазовое состояние монокристаллов и время жизни неравновесных носителей тока. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Чистые материалы и вакуумные технологии Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals Особливості формування досконалої монокристалічної структури легованих кристалів кремнію Особенности образования совершенной монокристаллической структуры легированных кристаллов кремния Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| spellingShingle |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. Чистые материалы и вакуумные технологии |
| title_short |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_full |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_fullStr |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_full_unstemmed |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| title_sort |
monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals |
| author |
Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. |
| author_facet |
Azarenkov, N.А. Semenenko, V.Е. Ovcharenko, А.I. Pylypenko, M.M. |
| topic |
Чистые материалы и вакуумные технологии |
| topic_facet |
Чистые материалы и вакуумные технологии |
| publishDate |
2016 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Особливості формування досконалої монокристалічної структури легованих кристалів кремнію Особенности образования совершенной монокристаллической структуры легированных кристаллов кремния |
| description |
In this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence of heat treatment on phase-structural condition of single crystals and nonequilibrium carrier lifetime has been determined.
Вивчено особливості вирощування досконалих легованих монокристалів кремнію. Виявлено особливості анодного травлення монокристалів n- і p-типів. Визначено вплив орієнтації запалу на еволюцію дислокаційної і дефектної структур у кристалі на різних стадіях росту. Встановлено вплив термообробки на структурно-фазовий стан монокристалів і час життя нерівноважних носіїв струму.
Изучены особенности выращивания совершенных легированных монокристаллов кремния. Выявлены особенности анодного травления монокристаллов n- и p-типов. Определено влияние ориентации затравок на эволюцию дислокационной и дефектной структур в кристалле на различных стадиях роста. Установлено влияние термообработки на структурно-фазовое состояние монокристаллов и время жизни неравновесных носителей тока.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111722 |
| citation_txt |
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT azarenkovna monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT semenenkove monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT ovcharenkoai monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT pylypenkomm monocrystallinestructureformationofdopedperfectsiliconcrystals AT azarenkovna osoblivostíformuvannâdoskonaloímonokristalíčnoístrukturilegovanihkristalívkremníû AT semenenkove osoblivostíformuvannâdoskonaloímonokristalíčnoístrukturilegovanihkristalívkremníû AT ovcharenkoai osoblivostíformuvannâdoskonaloímonokristalíčnoístrukturilegovanihkristalívkremníû AT pylypenkomm osoblivostíformuvannâdoskonaloímonokristalíčnoístrukturilegovanihkristalívkremníû AT azarenkovna osobennostiobrazovaniâsoveršennoimonokristalličeskoistrukturylegirovannyhkristallovkremniâ AT semenenkove osobennostiobrazovaniâsoveršennoimonokristalličeskoistrukturylegirovannyhkristallovkremniâ AT ovcharenkoai osobennostiobrazovaniâsoveršennoimonokristalličeskoistrukturylegirovannyhkristallovkremniâ AT pylypenkomm osobennostiobrazovaniâsoveršennoimonokristalličeskoistrukturylegirovannyhkristallovkremniâ |
| first_indexed |
2025-11-27T11:27:25Z |
| last_indexed |
2025-11-27T11:27:25Z |
| _version_ |
1850852182891429888 |