Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors

The method of measurement and automated test probe station for the study of the temperature dependence of the leakage current and energy resolution of single-channel planar silicon detectors (PSD) was created. Energy resolution and leakage current of PSD with different initial (at room temperature)...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2013
Автори: Deiev, O.S., Maslov, N.I., Ovchinnik, V.D., Potin, S.M., Shulika, M.Y., Vasilyev, G.P., Voloshyn, V.K., Yalovenko, V.I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111839
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors / O.S. Deiev, N.I. Maslov, V.D. Ovchinnik, S.M. Potin, M.Y. Shulika,
 G.P. Vasilyev, V.K. Voloshyn, V.I. Yalovenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 3. — С. 253-258. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862555208923480064
author Deiev, O.S.
Maslov, N.I.
Ovchinnik, V.D.
Potin, S.M.
Shulika, M.Y.
Vasilyev, G.P.
Voloshyn, V.K.
Yalovenko, V.I.
author_facet Deiev, O.S.
Maslov, N.I.
Ovchinnik, V.D.
Potin, S.M.
Shulika, M.Y.
Vasilyev, G.P.
Voloshyn, V.K.
Yalovenko, V.I.
citation_txt Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors / O.S. Deiev, N.I. Maslov, V.D. Ovchinnik, S.M. Potin, M.Y. Shulika,
 G.P. Vasilyev, V.K. Voloshyn, V.I. Yalovenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 3. — С. 253-258. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description The method of measurement and automated test probe station for the study of the temperature dependence of the leakage current and energy resolution of single-channel planar silicon detectors (PSD) was created. Energy resolution and leakage current of PSD with different initial (at room temperature) energy resolution in the temperature range from -30° C to 60° C was measured. Method allows to make the PSD selection for the detector systems with the possibility of use at elevated temperatures. Розроблена методика вимiрювань i створенi автоматизованi стенди для дослiдження температурної залежностi струмiв витоку та енергетичної роздiльної здатностi одноканальных планарних кремнiєвих детекторiв (ПКД). В дiапазонi температур −30° C до +60° C проведено вимiрювання енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку ПКД з рiзними початковими (при кiмнатнiй температурi) енергетичними роздiльними здатностями. Методика дозволяє проводити вiдбiр ПКД для детектуючих систем, працюючих при пiдвищених температурах. Разработана методика измерений и созданы автоматизированные стенды для исследования температурной зависимости энергетического разрешения и токов утечки одноканальных планарных кремниевых детекторов (ПКД). В диапазоне температур −30° C до +60° C проведено измерение энергетического разрешения и токов утечки ПКД с различным начальным (при комнатной температуре) энергетическим разрешением. Методика позволяет производить отбор ПКД для детектирующих систем, работающих при повышенных температурах.
first_indexed 2025-11-25T22:20:29Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111839
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-11-25T22:20:29Z
publishDate 2013
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Deiev, O.S.
Maslov, N.I.
Ovchinnik, V.D.
Potin, S.M.
Shulika, M.Y.
Vasilyev, G.P.
Voloshyn, V.K.
Yalovenko, V.I.
2017-01-15T10:57:15Z
2017-01-15T10:57:15Z
2013
Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors / O.S. Deiev, N.I. Maslov, V.D. Ovchinnik, S.M. Potin, M.Y. Shulika,
 G.P. Vasilyev, V.K. Voloshyn, V.I. Yalovenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 3. — С. 253-258. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 29.40.Wk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111839
The method of measurement and automated test probe station for the study of the temperature dependence of the leakage current and energy resolution of single-channel planar silicon detectors (PSD) was created. Energy resolution and leakage current of PSD with different initial (at room temperature) energy resolution in the temperature range from -30° C to 60° C was measured. Method allows to make the PSD selection for the detector systems with the possibility of use at elevated temperatures.
Розроблена методика вимiрювань i створенi автоматизованi стенди для дослiдження температурної залежностi струмiв витоку та енергетичної роздiльної здатностi одноканальных планарних кремнiєвих детекторiв (ПКД). В дiапазонi температур −30° C до +60° C проведено вимiрювання енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку ПКД з рiзними початковими (при кiмнатнiй температурi) енергетичними роздiльними здатностями. Методика дозволяє проводити вiдбiр ПКД для детектуючих систем, працюючих при пiдвищених температурах.
Разработана методика измерений и созданы автоматизированные стенды для исследования температурной зависимости энергетического разрешения и токов утечки одноканальных планарных кремниевых детекторов (ПКД). В диапазоне температур −30° C до +60° C проведено измерение энергетического разрешения и токов утечки ПКД с различным начальным (при комнатной температуре) энергетическим разрешением. Методика позволяет производить отбор ПКД для детектирующих систем, работающих при повышенных температурах.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Ядернo-физические методы и обработка данных
Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
Температурна залежнiсть енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку планарних Si детекторiв
Температурная зависимость энергетического разрешения и токов утечки планарных Si детекторов
Article
published earlier
spellingShingle Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
Deiev, O.S.
Maslov, N.I.
Ovchinnik, V.D.
Potin, S.M.
Shulika, M.Y.
Vasilyev, G.P.
Voloshyn, V.K.
Yalovenko, V.I.
Ядернo-физические методы и обработка данных
title Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
title_alt Температурна залежнiсть енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку планарних Si детекторiв
Температурная зависимость энергетического разрешения и токов утечки планарных Si детекторов
title_full Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
title_fullStr Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
title_full_unstemmed Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
title_short Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
title_sort temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
topic Ядернo-физические методы и обработка данных
topic_facet Ядернo-физические методы и обработка данных
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111839
work_keys_str_mv AT deievos temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT maslovni temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT ovchinnikvd temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT potinsm temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT shulikamy temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT vasilyevgp temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT voloshynvk temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT yalovenkovi temperaturedependenceoftheenergyresolutionandleakagecurrentoftheplanarsiliconedetectors
AT deievos temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT maslovni temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT ovchinnikvd temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT potinsm temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT shulikamy temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT vasilyevgp temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT voloshynvk temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT yalovenkovi temperaturnazaležnistʹenergetičnoírozdilʹnoízdatnostitastrumivvitokuplanarnihsidetektoriv
AT deievos temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT maslovni temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT ovchinnikvd temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT potinsm temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT shulikamy temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT vasilyevgp temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT voloshynvk temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov
AT yalovenkovi temperaturnaâzavisimostʹénergetičeskogorazrešeniâitokovutečkiplanarnyhsidetektorov