Низкотемпературный синтез и структура гибридных наноматериалов Ni@C, полученных методом реактивного магнетронного распыления
Методом магнетронного распыления получены гибридные наноплёнки, состоящие из частиц никеля, инкапсулированных в углеродную оболочку (Ni@C). Благодаря определённым условиям напыления (низкая температура, высокое давление) достигнут кластерный характер формирования плёнок. Исследованы две группы образ...
Saved in:
| Date: | 2015 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Series: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112258 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Низкотемпературный синтез и структура гибридных наноматериалов Ni@C, полученных методом реактивного магнетронного распыления / М. И. Мохненко, В. Н. Варюхин, А. М. Прудников, Р. В. Шалаев // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 741-750. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Методом магнетронного распыления получены гибридные наноплёнки, состоящие из частиц никеля, инкапсулированных в углеродную оболочку (Ni@C). Благодаря определённым условиям напыления (низкая температура, высокое давление) достигнут кластерный характер формирования плёнок. Исследованы две группы образцов с различными концентрационными соотношениями C:Ni. Определено, что кластеры I-ой группы образцов (C:Ni = 60:40) являются аморфными и только при определённой критической температуре формируют кристаллическую структуру, тогда как кластеры II-ой группы образцов (C:Ni = 30:70) образуют кристаллическую структуру уже в плазме. Рассмотрен характер формирования нанокомпозитных плёнок при различных концентрациях углерода и температурах подложки. |
|---|