Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu

• Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии
• Дата: 2016
• ISSN: 1024-1809
• Автори: Копань, В.С., Хуторянская, Н.В., Селезнева, И.А., Копань, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
• Теми: Электронные структура и свойства
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112471
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu / В. С. Копань, Н. В. Хуторянская, И. А. Селезнева, Ю. В. Копань // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 2. — С. 277-284. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Измерена зависимость термоэлектродвижущей силы S(hCu) многослойных композиций Al—Cu от толщины медного слоя hCu в диапазоне hCu = (20—1200) нм. Градиент температуры был перпендикулярным к плоскостям слоёв. Когда 1200 нм > hCu >> lCu (lCu ≤ (30—42) нм – длина свободного пробега электрона в меди), тогда |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ сравнима с |S| биметаллов. Когда hCu < 100 нм, слои препятствуют движению электронов как сверхрешётка. Виміряна залежність термоелектрорушійної сили S(hCu) багатошарових композицій Al—Cu від товщини мідного шару hCu у діяпазоні hCu = (20—1200) нм. Ґрадієнт температури був перпендикулярним до площин шарів. Коли 1200 нм > hCu >> lCu нм (lCu ≤ (30—42) – довжина вільного пробігу електрона в міді), тоді |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ є порівнянною із |S| біметалів. Коли hCu < 100 нм, шари перешкоджають рухові електронів як надґратниця. The dependence of the thermoelectric power S(hCu) of multilayer composition Al—Cu on the Cu-layer thickness, hCu, is measured in range hCu = (20—1200) nm. The temperature gradient is normal to plains of layers. When 1200 nm > hСu >> lCu (lCu ≤ (30—42) nm–electron free pass in Cu), the |S| ≅ 4 μV⋅K⁻¹ is comparable with |S| of bimetals. When hСu < 100 nm, the layers impede to electron motion as superlattice.