Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
GaAs/AlAs supelattices with corrugated interfaces have been investigated by the polarized photoluminescence method. Using the theoretical approach, which associates the linear polarization of exciton photoluminescence with the corrugation parameters, experimental results have been fitted to determin...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114668 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 45-49. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Polaron density of states of AlAs/GaAs/AlAs and PbS/PbTe/PbS type quantum well
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs
за авторством: Khemissi, S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Khemissi, S., та інші
Опубліковано: (2006)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)