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Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices

GaAs/AlAs supelattices with corrugated interfaces have been investigated by the polarized photoluminescence method. Using the theoretical approach, which associates the linear polarization of exciton photoluminescence with the corrugation parameters, experimental results have been fitted to determin...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:1998
ISSN:1560-8034
Hauptverfasser: Daweritz, L., Grahn, H., Hey, R., Jenichen, B., Ploog, K., Korbutyak, D., Krylyuk, S., Kryuchenko, Yu., Litovchenko, V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114668
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 45-49. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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