Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief sur...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114672 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114672 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Gorbach, T.Ya. Holiney, R.Yu. Matiyuk, I.M. Matveeva, L.A. Svechnikov, S.V. Venger, E.F. 2017-03-11T16:23:12Z 2017-03-11T16:23:12Z 1998 Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 71.25.Rk, 81.60.Cp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114672 The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief surfaces by anisotropic chemical etching: (i) cutting, (ii) cutting and mechanical polishing with Al₂O₃, (iii) cutting and chemical polishing with HNO₃:HF, and (iv) the standard industrial technique. Using the critical point energy Eg at the central point in the Brillouin zone (GIV₂₅ – GC₁₅ transition) and the phenomenological parameter of broading G to characterize the performance of the Si surface, it was found that anisotropic chemical etching performed after cutting produced the surface performance comparable to that of industrially fabricated wafers, but at a lower cost. Методами спектроскопії низькопольового електровідбиття, растрової електронної мікроскопії та електронографії досліджено вплив попередніх обробок поверхні кремнію (різка; різка та механічна поліровка; різка та хімічна поліровка; стандартна фабрична обробка) на досконалість анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. Як критерій досконалості аналізуються енергія критичної точки Eg в центрі зони Бріллюена (переходи GIV₂₅ – GC₁₅ ), феноменологічний параметр уширення Г, рухливість носіїв заряду, морфологічні особливості поверхні та кристалічна структура. Показана можливість використання попередньої обробки різкою для виготовлення достатньо досконалих анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. При цьому очікується зменшення їх кошторису. Методами спекроскопии низкополевого электроотражения, растровой электронной микроскопии и электронографии исследовано влияние предварительных обработок поверхности кремния (резка; резка и механическая полировка; резка и химическая полировка; стандартная фабричная обработка) на совершенство анизотропно травленных микрорельефных пластин. В качестве критерия совершенства анализируются энергия критической точки Eg в центре зоны Бриллюэна (переходы GIV₂₅ – GC₁₅, феноменологический параметр уширения Г, подвижность носителей заряда, морфологические особенности поверхности и кристаллическая структура. Сделан вывод о возможности использования предварительной обработки резкой для получения достаточно совершенных анизотропно травленных микрорельефных кремниевых пластин. При этом ожидается снижение стоимости пластин. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments Спекроскопія електровідбиття та скануюча електронна мікроскопія кремнієвих мікрорельєфних пластин з різними попередніми обробками поверхні Спректроскопия електроотражения и сканирующая электронная микроскопия кремниевых микрорельефных пластин с различными предварительными обработками поверхности Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| spellingShingle |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments Gorbach, T.Ya. Holiney, R.Yu. Matiyuk, I.M. Matveeva, L.A. Svechnikov, S.V. Venger, E.F. |
| title_short |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| title_full |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| title_fullStr |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| title_full_unstemmed |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| title_sort |
electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments |
| author |
Gorbach, T.Ya. Holiney, R.Yu. Matiyuk, I.M. Matveeva, L.A. Svechnikov, S.V. Venger, E.F. |
| author_facet |
Gorbach, T.Ya. Holiney, R.Yu. Matiyuk, I.M. Matveeva, L.A. Svechnikov, S.V. Venger, E.F. |
| publishDate |
1998 |
| language |
English |
| container_title |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Спекроскопія електровідбиття та скануюча електронна мікроскопія кремнієвих мікрорельєфних пластин з різними попередніми обробками поверхні Спректроскопия електроотражения и сканирующая электронная микроскопия кремниевых микрорельефных пластин с различными предварительными обработками поверхности |
| description |
The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief surfaces by anisotropic chemical etching: (i) cutting, (ii) cutting and mechanical polishing with Al₂O₃, (iii) cutting and chemical polishing with HNO₃:HF, and (iv) the standard industrial technique. Using the critical point energy Eg at the central point in the Brillouin zone (GIV₂₅ – GC₁₅ transition) and the phenomenological parameter of broading G to characterize the performance of the Si surface, it was found that anisotropic chemical etching performed after cutting produced the surface performance comparable to that of industrially fabricated wafers, but at a lower cost.
Методами спектроскопії низькопольового електровідбиття, растрової електронної мікроскопії та електронографії досліджено вплив попередніх обробок поверхні кремнію (різка; різка та механічна поліровка; різка та хімічна поліровка; стандартна фабрична обробка) на досконалість анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. Як критерій досконалості аналізуються енергія критичної точки Eg в центрі зони Бріллюена (переходи GIV₂₅ – GC₁₅ ), феноменологічний параметр уширення Г, рухливість носіїв заряду, морфологічні особливості поверхні та кристалічна структура. Показана можливість використання попередньої обробки різкою для виготовлення достатньо досконалих анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. При цьому очікується зменшення їх кошторису.
Методами спекроскопии низкополевого электроотражения, растровой электронной микроскопии и электронографии исследовано влияние предварительных обработок поверхности кремния (резка; резка и механическая полировка; резка и химическая полировка; стандартная фабричная обработка) на совершенство анизотропно травленных микрорельефных пластин. В качестве критерия совершенства анализируются энергия критической точки Eg в центре зоны Бриллюэна (переходы GIV₂₅ – GC₁₅, феноменологический параметр уширения Г, подвижность носителей заряда, морфологические особенности поверхности и кристаллическая структура. Сделан вывод о возможности использования предварительной обработки резкой для получения достаточно совершенных анизотропно травленных микрорельефных кремниевых пластин. При этом ожидается снижение стоимости пластин.
|
| issn |
1560-8034 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114672 |
| citation_txt |
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT gorbachtya electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT holineyryu electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT matiyukim electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT matveevala electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT svechnikovsv electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT vengeref electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments AT gorbachtya spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT holineyryu spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT matiyukim spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT matveevala spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT svechnikovsv spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT vengeref spekroskopíâelektrovídbittâtaskanuûčaelektronnamíkroskopíâkremníêvihmíkrorelʹêfnihplastinzríznimipoperednímiobrobkamipoverhní AT gorbachtya sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti AT holineyryu sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti AT matiyukim sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti AT matveevala sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti AT svechnikovsv sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti AT vengeref sprektroskopiâelektrootraženiâiskaniruûŝaâélektronnaâmikroskopiâkremnievyhmikrorelʹefnyhplastinsrazličnymipredvaritelʹnymiobrabotkamipoverhnosti |
| first_indexed |
2025-11-30T21:54:29Z |
| last_indexed |
2025-11-30T21:54:29Z |
| _version_ |
1850858564885676032 |