Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2015
Hauptverfasser: Маланич, Г.П., Томашик, В.М., Стратийчук, И.Б., Томашик, З.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116755
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 94-101. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine