Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116755 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 94-101. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862549564633907200 |
|---|---|
| author | Маланич, Г.П. Томашик, В.М. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. |
| author_facet | Маланич, Г.П. Томашик, В.М. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. |
| citation_txt | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 94-101. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава растворов, их температуры и перемешивания, а также влияние исходной концентрации HBr на концентрационный интервал полирующих травителей и качество полученной поверхности. Оптимизированы составы травителей и режимы проведения химико-динамического полирования поверхности PbTe и Pb1–xSnxTe.
Investigated in this work is the nature of the chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions single crystals depending on initial HBr concentrations used for preparing the H₂O₂–HBr etching compositions. The dependences of chemical-dynamic etching rate of semiconductor surfaces on the composition etchants, their temperature and stirring regimes have been studied. The influence of the initial HBr concentration on the concentration range of polishing etchants and quality of the obtained surfaces has been also determined. The authors have performed optimization of etchant compositions and operation conditions for chemical-dynamic polishing the surfaces of the PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:35:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116755 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:35:26Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Маланич, Г.П. Томашик, В.М. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. 2017-05-14T20:40:23Z 2017-05-14T20:40:23Z 2015 Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 94-101. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116755 621.794.4, 546.811/815’24 Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава растворов, их температуры и перемешивания, а также влияние исходной концентрации HBr на концентрационный интервал полирующих травителей и качество полученной поверхности. Оптимизированы составы травителей и режимы проведения химико-динамического полирования поверхности PbTe и Pb1–xSnxTe. Investigated in this work is the nature of the chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions single crystals depending on initial HBr concentrations used for preparing the H₂O₂–HBr etching compositions. The dependences of chemical-dynamic etching rate of semiconductor surfaces on the composition etchants, their temperature and stirring regimes have been studied. The influence of the initial HBr concentration on the concentration range of polishing etchants and quality of the obtained surfaces has been also determined. The authors have performed optimization of etchant compositions and operation conditions for chemical-dynamic polishing the surfaces of the PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H₂O₂–HBr solutions with different initial HBr concentrations Article published earlier |
| spellingShingle | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr Маланич, Г.П. Томашик, В.М. Стратийчук, И.Б. Томашик, З.Ф. |
| title | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr |
| title_alt | Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H₂O₂–HBr solutions with different initial HBr concentrations |
| title_full | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr |
| title_fullStr | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr |
| title_full_unstemmed | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr |
| title_short | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr |
| title_sort | химическое травление монокристаллов pbte и pb1–xsnxte растворами h₂o₂–hbr с использованием разной исходной концентрации hbr |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116755 |
| work_keys_str_mv | AT malaničgp himičeskoetravleniemonokristallovpbteipb1xsnxterastvoramih2o2hbrsispolʹzovaniemraznoiishodnoikoncentraciihbr AT tomašikvm himičeskoetravleniemonokristallovpbteipb1xsnxterastvoramih2o2hbrsispolʹzovaniemraznoiishodnoikoncentraciihbr AT stratiičukib himičeskoetravleniemonokristallovpbteipb1xsnxterastvoramih2o2hbrsispolʹzovaniemraznoiishodnoikoncentraciihbr AT tomašikzf himičeskoetravleniemonokristallovpbteipb1xsnxterastvoramih2o2hbrsispolʹzovaniemraznoiishodnoikoncentraciihbr AT malaničgp chemicaletchingofpbteandpb1xsnxtesinglecrystalsbyusingh2o2hbrsolutionswithdifferentinitialhbrconcentrations AT tomašikvm chemicaletchingofpbteandpb1xsnxtesinglecrystalsbyusingh2o2hbrsolutionswithdifferentinitialhbrconcentrations AT stratiičukib chemicaletchingofpbteandpb1xsnxtesinglecrystalsbyusingh2o2hbrsolutionswithdifferentinitialhbrconcentrations AT tomašikzf chemicaletchingofpbteandpb1xsnxtesinglecrystalsbyusingh2o2hbrsolutionswithdifferentinitialhbrconcentrations |