Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116755 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 94-101. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |