InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних деф...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |