InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних деф...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862660814794653696 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| citation_txt | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних дефектів. Наведено результати досліджень впливу відпалу на трансформацію електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик вихідного InSb приладної якості. Запропоновано модель конверсії типу провідності, зумовленої термічним відпалом n-InSb. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InSb фотодіодах, виготовлених методом іонної імплантації, та зроблено висновки щодо природи надлишкових
струмів.
The current state of development of InSb photodiodes prepared using ion implantation method has been considered. Specific features of formation of disordered layer depending on the mass of ions, their energy and dose radiation have been analyzed. The conclusions on the effectiveness of stationary and pulsed photon annealings of radiation damages have been made. The results of studying the annealing on transformation of electrical and photoelectric properties and characteristics of the initial InSb have been presented. A model of the conductivity type conversion caused by thermal annealing of n-InSb has been proposed. The carrier transport mechanisms in InSb photodiodes produced using ion implantation have been analyzed, and conclusions on the nature of excessive currents has been made.
|
| first_indexed | 2025-12-02T10:51:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116782 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T10:51:10Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. 2017-05-15T14:53:53Z 2017-05-15T14:53:53Z 2016 InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782 621.315.592 Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних дефектів. Наведено результати досліджень впливу відпалу на трансформацію електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик вихідного InSb приладної якості. Запропоновано модель конверсії типу провідності, зумовленої термічним відпалом n-InSb. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InSb фотодіодах, виготовлених методом іонної імплантації, та зроблено висновки щодо природи надлишкових
 струмів. The current state of development of InSb photodiodes prepared using ion implantation method has been considered. Specific features of formation of disordered layer depending on the mass of ions, their energy and dose radiation have been analyzed. The conclusions on the effectiveness of stationary and pulsed photon annealings of radiation damages have been made. The results of studying the annealing on transformation of electrical and photoelectric properties and characteristics of the initial InSb have been presented. A model of the conductivity type conversion caused by thermal annealing of n-InSb has been proposed. The carrier transport mechanisms in InSb photodiodes produced using ion implantation have been analyzed, and conclusions on the nature of excessive currents has been made. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) InSb Photodiodes (Review, Part I) Article published earlier |
| spellingShingle | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| title | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) |
| title_alt | InSb Photodiodes (Review, Part I) |
| title_full | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) |
| title_fullStr | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) |
| title_full_unstemmed | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) |
| title_short | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) |
| title_sort | insb фотодіоди (огляд. частина i) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav insbfotodíodioglâdčastinai AT tetʹorkínvv insbfotodíodioglâdčastinai AT matíûkím insbfotodíodioglâdčastinai AT tkačukaí insbfotodíodioglâdčastinai AT sukačav insbphotodiodesreviewparti AT tetʹorkínvv insbphotodiodesreviewparti AT matíûkím insbphotodiodesreviewparti AT tkačukaí insbphotodiodesreviewparti |