InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних деф...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
за авторством: Linnik, L.F., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Linnik, L.F., та інші
Опубліковано: (2022)
Laser – induced donor centers in p-InSb
за авторством: Fedorenko, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Fedorenko, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2003)
Электрохимическое окисление бинарного сплава InSb в кислых и щелочных электролитах
за авторством: Ускова, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ускова, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Характеристики приемников излучения на основе InSb в условиях астрономического применения
за авторством: Жиляев, Б.Е., та інші
Опубліковано: (1992)
за авторством: Жиляев, Б.Е., та інші
Опубліковано: (1992)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд)
за авторством: Стронський, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Стронський, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016) -
InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)