InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2016
• Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116782
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр.

Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних деф...