Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...