Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116789 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2017-05-15T15:08:24Z 2017-05-15T15:08:24Z 2016 Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789 621.315.592 У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х. In n-Ge crystals at 77 K in the conditions X || J || H || [111], the longitudinal magnetotensoresistance depending on the value of magnetic field H has been investigated for different values of uniaxial stress caused by mechanical compression X, as well as the longitudinal tensomagnetoresistance depending on X has been studied at different values of H. Proposed has been the practically important method for determining the tensomagnetoresistance in conditions of extremely high H and X by using measurements of only tensoresistance (i.e., at Н = 0) in a wide range of X. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge |
| spellingShingle |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| title_short |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge |
| title_full |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge |
| title_fullStr |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge |
| title_full_unstemmed |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge |
| title_sort |
магнітотензо- і тензомагнітоопір n-ge |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| publishDate |
2016 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge |
| description |
У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789 |
| citation_txt |
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkiipí magnítotenzoítenzomagnítoopírnge AT gaidargp magnítotenzoítenzomagnítoopírnge AT baransʹkiipí magnetotensoandtensomagnetoresistanceofnge AT gaidargp magnetotensoandtensomagnetoresistanceofnge |
| first_indexed |
2025-12-07T21:05:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:05:57Z |
| _version_ |
1850885073293803520 |