Cover Image

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:	2016
ISSN:	0233-7577
Main Authors:	Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116789
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2017)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2015)

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2016)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014)

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2010)

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2010)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014)

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2009)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2019)

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2013)

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2015)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2018)

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2013)

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2020)

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2010)

Фундаментальна наука і суспільний поступ
by: Мачулін, В.Ф., et al.
Published: (2007)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
by: P. I. Baranskyi, et al.
Published: (2016)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2022)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2023)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2021)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
by: P. I. Baranskii, et al.
Published: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
by: Baranskii, P.I., et al.
Published: (2012)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
by: H. P. Haidar
Published: (2019)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
by: V. I. Shvabiuk, et al.
Published: (2017)

Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
by: Долголенко, А.П., et al.
Published: (2009)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
by: A. V. Fedorenko
Published: (2020)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
by: P. I. Baranskii, et al.
Published: (2012)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
by: Зінченко, В.Ф., et al.
Published: (2013)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
by: G. P. Gaidar
Published: (2011)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
by: Gaidar, G.P.
Published: (2011)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
by: G. P. Gaidar, et al.
Published: (2015)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
by: Budzulyak, S.I., et al.
Published: (2003)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
by: V. F. Zinchenko, et al.
Published: (2013)

Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
by: Vlasenko, O.I., et al.
Published: (2009)

Спектроскопические свойства гетероядерных Ln (III)—Ge (IV) комплексов с этилендиамин-N,N,N’,N’-тетрауксусной и диэтилентриамин-N,N,N’,N’,N’’-пентауксусной кислотами
by: Смола, С.С., et al.
Published: (2009)

Вплив добавки германію у композиті MNіN2S4–Ge на властивості одержуваних тонкоплівкових покриттів
by: Зінченко, В.Ф., et al.
Published: (2016)

Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного n- и p-Si₀,₇Ge₀,₃
by: Бокучава, Г. В., et al.
Published: (2005)