Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения
Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для пол...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116792 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т.В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 150-157. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |