Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения
Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для пол...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116792 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т.В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 150-157. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116792 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Семикина, Т.В. 2017-05-15T15:13:52Z 2017-05-15T15:13:52Z 2016 Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т.В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 150-157. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116792 537.311.322; 539.232; 621.382.2 Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для получения структур с полупроводниковыми ZnO пленками и органическими материалами, а также преимущества использования АПО в прозрачной электронике. Приведен обзор результатов создания гомо- и гетеропереходов на основе полученных полупроводниковых пленок ZnO. Выпрямляющие свойства исследованных p-n переходов демонстрируют перспективы их применения в прозрачной электронике. Technological regimes for growing ZnO films with the carrier concentrations 10¹⁶…10¹⁷ cm⁻³ by using atomic layer deposition method (ALD) have been studied and developed. The dependences of electron concentration on the technological regimes have been analyzed. Demonstrated have been ALD method capabilities for preparing the structures with semiconductor ZnO films and organic materials as well as ALD advantages for application in transparent electronics. The results of creation of homo- and heterojunctions based on the obtained semiconductor ZnO films have been presented. The rectifying properties of the studied p-n junctions demonstrate their perspectives for application in transparent electronics. Автор благодарит Фонд Мианевского и профессора М. Годлевского за возможность проведения научной работы в Институте физики Польской Академии Наук (Варшава). Работа была частично профинансирована европейским региональным фондом развития в рамках рационализаторского экономического гранта (POIG.01.01.02-00-108/09). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения |
| spellingShingle |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения Семикина, Т.В. |
| title_short |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения |
| title_full |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения |
| title_fullStr |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения |
| title_full_unstemmed |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения |
| title_sort |
диодные структуры и электрические свойства пленок zno, полученных методом атомного послойного осаждения |
| author |
Семикина, Т.В. |
| author_facet |
Семикина, Т.В. |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method |
| description |
Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для получения структур с полупроводниковыми ZnO пленками и органическими материалами, а также преимущества использования АПО в прозрачной электронике. Приведен обзор результатов создания гомо- и гетеропереходов на основе полученных полупроводниковых пленок ZnO. Выпрямляющие свойства исследованных p-n переходов демонстрируют перспективы их применения в прозрачной электронике.
Technological regimes for growing ZnO films with the carrier concentrations 10¹⁶…10¹⁷ cm⁻³ by using atomic layer deposition method (ALD) have been studied and developed. The dependences of electron concentration on the technological regimes have been analyzed. Demonstrated have been ALD method capabilities for preparing the structures with semiconductor ZnO films and organic materials as well as ALD advantages for application in transparent electronics. The results of creation of homo- and heterojunctions based on the obtained semiconductor ZnO films have been presented. The rectifying properties of the studied p-n junctions demonstrate their perspectives for application in transparent electronics.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116792 |
| citation_txt |
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т.В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 150-157. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT semikinatv diodnyestrukturyiélektričeskiesvoistvaplenokznopolučennyhmetodomatomnogoposloinogoosaždeniâ AT semikinatv diodestructuresandelectricalpropertiesofznofilmsgrownusingtheatomiclayerdepositionmethod |
| first_indexed |
2025-12-01T18:06:23Z |
| last_indexed |
2025-12-01T18:06:23Z |
| _version_ |
1850860787646595072 |