Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2009
• Автори: Лашкарев, Г.В., Сичковский, В.И., Радченко, М.В., Карпина, В.А., Буторин, П.Е., Дмитриева, А.И., Лазоренко, В.И., Слинько, Е.И., Литвин, П.Н., Якела, Р., Кнофф, В., Стори, Т., Алешкевич, П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Теми: XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116818
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI / Г.В. Лашкарев, В.И. Сичковский, M.В. Радченко, В.А. Карпина, П.Е. Буторин, А.И. Дмитриев, В.И. Лазоренко, Е.И. Слинько, П.Н. Литвин, Р. Якела, В. Кнофф, Т. Стори, П. Алешкевич // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 81-91. — Бібліогр.: 47 назв. — рос.

Исследованы химический и фазовый состав, магнитная восприимчивость, SIMS, данные магнитной силовой микроскопии и нейтронной дифракции монокристаллов Ge1–x–ySnxMnyTe, InSe<Mn> и ZnO<Co,Mn> в широком диапазоне температур и магнитных полей. Для Ge1–x–ySnxMnyTe установлено существование фе...