Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |