Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619843848568832 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.М. Кушнір, Б.В. Товарницький, М.В. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.М. Кушнір, Б.В. Товарницький, М.В. |
| citation_txt | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃.
Методом прямого оптического контакта созданы гетеропереходы n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. С помощью АСМ-изображений исследована топология ван-дер-ваальсовой поверхности исходных кристаллов InSe и In₄Se₃. Построена зонная диаграмма гетероперехода n-InSe–p-In₄Se₃. Обнаружено, что для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коэффициент идеальности ВАХ равный 1,1. Установлена область спектральной чувствительности гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃.
Heterojunctions n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ were prepared by direct optical contact method. The topology of van der Waals surfaces of InSe and In₄Se₃ basis crystals were investigated by atomic force microscopy. The energy band diagram of the n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions were constructed. It was found that the diode factor of n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions had the value 1,1. The sensitivity spectral areas of n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ heterostructures were identified.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:19:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116998 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:19:27Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.М. Кушнір, Б.В. Товарницький, М.В. 2017-05-18T18:32:22Z 2017-05-18T18:32:22Z 2016 Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998 544.22, 537.623 Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. Методом прямого оптического контакта созданы гетеропереходы n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. С помощью АСМ-изображений исследована топология ван-дер-ваальсовой поверхности исходных кристаллов InSe и In₄Se₃. Построена зонная диаграмма гетероперехода n-InSe–p-In₄Se₃. Обнаружено, что для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коэффициент идеальности ВАХ равный 1,1. Установлена область спектральной чувствительности гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. Heterojunctions n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ were prepared by direct optical contact method. The topology of van der Waals surfaces of InSe and In₄Se₃ basis crystals were investigated by atomic force microscopy. The energy band diagram of the n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions were constructed. It was found that the diode factor of n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions had the value 1,1. The sensitivity spectral areas of n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ heterostructures were identified. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ Гетеропереходы на основе слоистых кристаллов In₄Se₃ Heterojunctions based on In₄Se₃ layered crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.М. Кушнір, Б.В. Товарницький, М.В. |
| title | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_alt | Гетеропереходы на основе слоистых кристаллов In₄Se₃ Heterojunctions based on In₄Se₃ layered crystals |
| title_full | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_fullStr | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_full_unstemmed | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_short | Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_sort | гетеропереходи на основі шаруватих кристалів in₄se₃ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd geteroperehodinaosnovíšaruvatihkristalívin4se3 AT katerinčukvm geteroperehodinaosnovíšaruvatihkristalívin4se3 AT kušnírbv geteroperehodinaosnovíšaruvatihkristalívin4se3 AT tovarnicʹkiimv geteroperehodinaosnovíšaruvatihkristalívin4se3 AT kovalûkzd geteroperehodynaosnovesloistyhkristallovin4se3 AT katerinčukvm geteroperehodynaosnovesloistyhkristallovin4se3 AT kušnírbv geteroperehodynaosnovesloistyhkristallovin4se3 AT tovarnicʹkiimv geteroperehodynaosnovesloistyhkristallovin4se3 AT kovalûkzd heterojunctionsbasedonin4se3layeredcrystals AT katerinčukvm heterojunctionsbasedonin4se3layeredcrystals AT kušnírbv heterojunctionsbasedonin4se3layeredcrystals AT tovarnicʹkiimv heterojunctionsbasedonin4se3layeredcrystals |