Cover Image

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃

Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Журнал физики и инженерии поверхности
Date:2016
Main Authors: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.М., Кушнір, Б.В., Товарницький, М.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items